BLF7G15L-300P,112 射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor datasheet RF/IF 和 RFID

型号：	BLF7G15L-300P,112
库存数量：	可订货
制造商：	NXP Semiconductors
描述：	射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor
RoHS：	否

详细参数

参数	数值
产品分类	RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述	射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor
BLF7G15L-300P,112 PDF下载
制造商	NXP Semiconductors
配置	Dual
晶体管极性	N-Channel
频率	1.45 GHz to 1.55 GHz
增益	18 dB
输出功率	85 W
汲极/源极击穿电压	65 V
漏极连续电流	45 A
闸/源击穿电压	13 V
最大工作温度	+ 150 C
封装 / 箱体	SOT-539A
封装	Tube

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属性	链接
代理商	BLF7G15L-300P,112 BLF7G15LS-200 BLF7G15LS-200,112 BLF7G15LS-200,118 BLF7G15LS-300P BLF7G15LS-300P,112

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